2025年05月02日 星期五
·IGBT
共有三個級,一般為G、E、C,通過G、E間加控制信號時可以改變E、C間的導(dǎo)通和截止。IGBT為電壓型驅(qū)動器件,具備MOSFET的高速開關(guān)特性和晶體管的低導(dǎo)通電阻。